设计入门:DRSSTC设计里IGBT应用的利与弊

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t79848

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rb-sama1 年前 -2016-05-06 18:06t79848
[blockquote][/blockquote]长期以来,IGBT作为一种电压型控制的半导体元件,导通压降小。损耗低,耐脉冲电流强。
因为种种优点,被广泛应用于DRSSTC等大电流软开关的应用场合中。
而围绕模块or小管的争议,这两种IGBT的不同封装模式使用在DRSSTC上的区别,也从来没有停止过。

——回溯DRSSTC发展的历史,最早的DRSSTC是在ISSTC的基础上进一步发展起来的。
由于爱好者兴趣取向原因,SSTC规模较小,工作频率较高,要求开关器件开关迅速。所以大多使用MOSFET来作为开关元件使用。
而当逐渐加大规模后,其工作频率一般落在50~200K之间。这也是DRSSTC的普遍工作频率,而由于电流非常大,有几百A通过管芯。
所以IGBT的导通恒压降特性(并非绝对),以及其优异的短时间抗过流特性,使其成为DRSSTC开关器件的不二选择。

随着爱好者数量的增加,各式各样的驱动电路层出不穷,花样也从最开始的出弧就OK到后来的追求稳定工作。
而所谓正向设计,就必须弄明白其中的原理,在大多数爱好者眼中,IGBT就是一个电压控制的开关。
或者更深入一点,要考虑到上升沿下降沿的速度,波形的幅度和震荡抑制。更深入的呢?
恐怕并没有一种现成的模型能够对IGBT模块在DRSSTC中工作的情况作出合理分析,所以本文会借鉴IGBT模块使用在谐振电路中的分析模式。
合理对应DRSSTC工作中,IGBT的运行状态以及失效原因,进行一些简单的分析。
因为如果要将IGBT的理论作为学术内容发出来,一个帖子可能不够。十个也不行。。。
所以发挥爱好者精神,面向具体问题分析原因效率会比较高。结合大家的兴趣点,列出下面几个有争议的话题,进行一些分析:
[hr]1> Q:CM300DY-12H的电流居然有300A,IRG4PC50UD只有50A。我用50UD做全桥总是炸管,是不是意味着小封装IGBT根本不能应用于DRSSTC?
     A:这个问题本身定义不是很明确,必须了解到的是这个300A的参数与50A的参数在什么时候能够使用。在不同的情况下又会发生哪些变化。
这样来使用参数才是有价值的。
其中50A是Coutinue电流的意思,300A同理。这个参数标的其实意义是在完全导通的情况下,无限大的散热片情况下。
IGBT管芯不损坏情况下,能达到的最大持续电流,然而这个电流参数一般只能反映IGBT的规模,实际上IGBT工作的情况十分复杂。
所以一般在工程中都是使用安全工作区间的模式来对IGBT失效可能性进行分析。

在这里首先可以给大家引入SOA的概念,中文是安全工作区间。
264244


这张图是50UD的Turn-Off SOA,也可以叫RBSOA。其意义为IGBT关断时的电压电流在图片中扫过的点集合形成的曲线包络的面。
由于伏安乘积特性能够表示功率特性,所以可以通过厂商提供的这个曲线,和实测的波形。来判断IGBT是否工作于安全区间。其中我用黑色箭表示了RC吸收良好情况下的普通开关电源应用,IGBT承受的伏安曲线。
红色箭则标出了一台峰值电流约为400A小型DRSSTC的工作电流区间,是不是很惊讶?为何曲线都能大部分落在工作范围内。分析如下:

264243

类比分析这张图的电压与电流交叠区,理论上上为0。实际当然不可能。。。
信号是不可能跳变的,所以如果把时基进一步缩小,可以看到拉长后的波形,方波电压会形成一个斜坡。
在过零电压点与过零电流点重合,而实际上这一端从+Vpp~-Vpp的过程,就可以用RBSOA图形来分析了。普通开关电压波形,当关断时,电压下降,电流上升。波形交叠在中点,这时损耗可以理解为dtP=dtUdtI。损耗功率为相乘关系。
而由于DRSSTC工作在软开关情况下。电流与电压在同一时间过零,电压下降时,电流已经很小了。而在过零点的时候,由于IGBT是存在导通压降的,所以并不能直接到零,但是也并不会超出太多。而这种分析方法,也适用于许多软开关的情况中,50UD虽然没有直接给出类型,但是其实比较老了。
使用NPT/PT型的IGBT,发生擎住效应的可能性也较小,由于DRSSTC的duty一般小于5%。
所以虽然DRSSTC也能够相对稳定的工作,但是一般这种50UD的小TC很难做到400A pk以上工作,从曲线就能看出来。在最左边,实际上超出了一部分,这部分不稳定区间可能会导致DRSSTC的失效。但是如果限制好电流,实际上50UD是可以应用在一些小电流场合的。[hr]2>Q:CM300DY-12H的曲线又是什么样的呢?是不是用CM300模块就不会超标不会坏?

    A:CM300DY-12H的曲线没有给出,但是可以知道其SSOA为600A。相当于把上面曲线平台部分拉高3倍左右。然而由于IGBT的特性,一般跑600~800A的情况下,一样是会在最开始超出安全工作区的。所以使用IGBT模块,应用在这种大电流工作场合,也并不是包治百病的万金油。但是NPT型IGBT能解决这一问题。但是IGBT模块的价格与IGBT小管相比,可以相差到50~100倍。且只能应用在20KHz以下的场合。
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而这是50UD的参数表,其中表明在谐振模式下(一般会实现软开关)。可以应用在>200KHz的频率。所以其实问题很明确,再进一步对比能够代表应用频率的延迟时间。
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264247

50UD的速度比CM300快了一个数量级,也就是十倍左右。所以其实高下立判,模块也并不是包治百病的良药。
因为应用于小型DRSSTC的场合,频率会超标。严重的还会导致桥臂共态的发生。CM300应用在超过600A的情况下,其实与50UD无异,严格意义都属于超标使用。[hr]3>Q:为何这么可怕,连CM300模块都超标使用。我们DRSSTC爱好者还有活路吗?    

    A:有啊,咋一看挺可怕的,似乎严格按照工业标准来设计,还需要留出余量。那我们爱好者岂不是只能玩高频小电流。或者低频超大规模DRSSTC?
骚年,换个思维看问题。在DRSSTC用途中的IGBT失效原因很少是由SCSOA导致的,也就是说过热过流非常罕见。一般是由于发生闸锁效应,或者是软开关切换失效导致的。而似乎用一对CM600DY-24H来做600A只有一米电弧的DR又太憋屈。那么,50UD到底能不能把稳定性控制在可接受范围?
又该怎么去看待那些用CM300DY-12H做到三米电弧的超流大神?
很简单。。。。因为我们是爱好者啊= =。!!!既然现有元件达不到标准,那就超频来玩呗。接受了这个设定就好办了,似乎工业标准这种让爱好者感到恐惧的东西也暂时被放置脑后。
但是必须注意的是,超频并不是无脑超频,超频也是有讲究,有学问的。在现有开关器件性价比无法接受的时候,全世界TC爱好者都在超指标使用。但是如何超出水平,如何保证一定水平下的稳定性,其实非常值得研究。
类比于许多高档品牌LED手电,其实都有超电流使用,更有甚者,超出1.5倍使用,并且作为商品售出。不同的是,其通过各种保护措施,以及加强散热手段,使其寿命衰减控制在可接受的范围内。在商业发展史上,这种例子比比皆是。
而实际例子也证明了,在正确的使用方法下,辅助合理良好的保护措施,IGBT模块是非常安全的。[hr]4>Q:我们在玩DRSSTC的时候,有哪些是可以开发的呢?有一个方向吗?    

    A:上面说到了,DRSSTC爱好者由于开关元件性能的限制,必须超标使用开关器件。而实际上,IGBT的失效是有非常多种可能性可以分析的,其中有非常多的技术细节可以被挖掘,我会在下面列出几个常见的玩点。其实正是因为在DRSSTC工作情况下的特殊性,有时候IGBT并不会严格按照参数曲线给出的指标产生失效。爱好者使用HGT5A40N60A4D这种IGBT,就有稳定运行于800A Ipk的记录,当然也产生了1:5弧次比的华丽记录。

另外举个栗子,曾经有国外爱好者根据IGBT的温度/压降曲线猜测,是否低温能够使IGBT的工作曲线变得更加宽裕。所以有人用液氮泡IGBT之后运行,据说TO-247ac封装的小管,能够跑到1200A的Ipk,电弧未知。

还有各种各样的新式电路,都是为了让IGBT能更安全的超标使用(虽然听起来很矛盾)。但严肃的是,这样的创新,往往能够推动技术的进步,并且发现元件的更多潜力。很多记录是可以被刷新的,当然刷新的过程没有那么简单,并不是一两个实验可以做到的,是需要严格的论证与时间的检验才行。

但是无论如何,你在玩DRSSTC时,获得的经验,可以为将来可能的刷新,奠定基础。做了就有可能,不做一定为0。
千万不要把自己局限于,“工业设计范例”的案例中,实际上任何矩可循的创新都不叫创新。

DRSSTC的工作模型虽然与串联谐振逆变器有可类比性,但是里面的很多经验并非可以直接借鉴。如果随意对两个不同领域进行强行类比趋同的话,其实是想当然的犯了过于主观看问题的思想错误。模型是需要严密的理论论证才可以等同的。
严格意义上,电路拿过来也不能直接用的,还是那句老话,正向设计很考验技术基础水平。

所以其实爱好者玩的方向可以是乐于找寻牛逼元件,也可以是乐于优化电路,其实殊途同归,都是为了能让同等级参数元件用在作品上发挥出更好的效果。这才是技术研究的根本意义。
[hr]5>Q:说了这么多,对于小白玩家,如何选择适合自己的开关元件呢?    
    A:遵循开发的原则,选择可能造成不稳定因素较少的设计路线,永远利于归纳总结失败规律,提升水平。
以实际案例来分析。其实IGBT模块也是由IGBT小管那样的管芯,通过绑定工艺压接金属丝导通的。与并联相比,一致性较好,引线ESL较小。所以两者之间,并没有特别明显的界限,可以理解为平滑过渡。其不同,应当归结于合理选择参数。
我们在设计DRSSTC的时候,可以很轻松的通过电弧规模,反推出槽路电流大小。根据电流大小与工作频率,选择合理参数的IGBT。最终在频率导致的开关损耗,和允许通过电流之间平衡,这样可以做到,物尽其用,合理设计。
谈到设计指标,又得回到之前的RBSOA曲线上来,实际上可以看出红色线的超出只会在关断的时候产生,也就是与纵轴电流相关。由于软开关和低占空工作的原因,发热量其实并不会很大,所以失效往往发生在图中绿色方框,电流振升至最高处。
264248

所以说得再简单一点,我们完全可以IGBT模块参数的选择按Ipk为界限。我们来设定一个Kr=2.0的系数。
Ipk<400A的选单管桥400A<Ipk<800A的选并管或者小模块。
Ipk>800A的选大模块很简单吧,Kr=2.0是超标系数,这个超标系数可以作为普遍情况下的IGBT超频参考。也经过了非常多爱好者的论证,一般都能达到。
而NPT型 IGBT一般可以达到Kr=2.5

举例:50UD SSOA=220A 则Kr*SSOA=440A,也就是说这个DR能工作在440A的Ipk下。而不发生RBSOA失效的话。排除其他因素,散热良好的情况下,即使长时间不断的运行工作,也是不会发生失效的。除非半导体掺杂渗透,这个时间是数十年级别的。。。
也就是说,Ipk固定只要一分钟不炸,一年就不会炸。这话绝对了点,但是道理没错。

因为GDT驱动波形,母线退耦电容,吸收电容,续流二极管,软开关精确程度等等,都能直接影响Kr的大小。
所以Kr系数,能够很正确的反映出TC设计者设计DRSSTC的水平。像前面所说的液氮跑1200A,Kr=4,很恐怖吧。。。
而CM300跑800A出2米电弧,Kr=800/600=1.3。其实还有很高的上升空间,但是大规模TC就要考虑更多因素了。不容易做上去。

然而Kr系数并不能准确考量DRSSTC整体的工作稳定性等因素,因为这与整体设计相关。千万不要误解了。
可以认为Kr是发烧系数吧。。。你可以根据预期工作电流峰值Ipk/Kr系数来得到SSOA的大小。
同时根据SSOA大小和工作频率,选择合适的IGBT。

所以希望大家以后发DRSSTC帖的时候,可以顺带把这个系数一起贴上来,能够指示你这个作品的发烧系数哦~
[hr]总结:
其实DRSSTC的玩法是非常多样的,做设计还是要明白深层的工作原理,如果一味的堆料。
也许堆对了电流,堆不对频率。永远无法把Kr系数做上去,也就永远是一个DRSSTC新手。

所以使用何种IGBT,与DRSSTC的工作稳定性绝不直接挂钩,还是要选对的,不要选看起来大的。
IGBT模块与小管之间绝对不存在谁比谁更好的说法,只有哪种更适合应用于特定系统。
所以最关键的还是要多尝试,实验样本多了,以上的经验就能够根据Kr系数与系统整体各个因素来选择适合的IGBT。

这篇帖子写的其实比较简单,很多理论都以科普的形式写出,为的是起到一个抛砖引玉的作用。
所以欢迎大家指正,多多补充文中没有讲到的技术细节,希望本帖能成为一个Q&A楼层。

限于篇幅,下面我会陆陆续续的在回复帖里写出一些DRSSTC设计时常见的误区,并且欢迎大家提出问题。
我会在力所能及的问题下面,给出准确的解答。

最后原创辛苦,转载请注明科创论坛_black
thks!

[修改于 1 年前 - 2016-05-06 18:56:20]


rudolf1 年前 -2016-05-06 20:15818523
楼主辛苦了,讲的很直观透彻。下一讲能否说说初次级耦合度的大小对DR和SSTC性能的影响?

rb-sama1 年前 -2016-05-06 21:03818526
引用 rudolf:
楼主辛苦了,讲的很直观透彻。下一讲能否说说初次级耦合度的大小对DR和SSTC性能的影响?
谢捧场,时间有限讲得还不够全面。。。
初次级耦合度的影响,英国richle写的文章写得比较清楚,你转载一下到论坛咯。

kcltxinshou1 年前 -2016-05-07 01:20818559
第三讲能否说说“初级与全桥之间的阻抗匹配”、“次级的Q值是否越大越好”这两个问题?

Miller1 年前 -2016-05-07 02:09818563
我还是想等几年用氮化镓的mos,那个功率和开关速度以及超低的损耗简直难以置信
虽然现在真要买的话能搞到货,但是价格无法接受

rudolf1 年前 -2016-05-07 11:31818595
引用 rb-sama:
谢捧场,时间有限讲得还不够全面。。。
初次级耦合度的影响,英国richle写的文章写得比较清楚,你转载一下到论坛咯。
论坛上很少有人从这方面来研究IGBT和MOS在用于DRSSTC时的损坏机理,我之前认为是IGBT管芯在几个谐振周期的极短时间内由于开关损耗导致发热超过其能够将热量传递到外壳的速度而损坏。

耦合度的文章地址能否发一个,我找时间翻一下。

rb-sama1 年前 -2016-05-07 14:58818616
引用 rudolf:
论坛上很少有人从这方面来研究IGBT和MOS在用于DRSSTC时的损坏机理,我之前认为是IGBT管芯在几个谐振周期的极短时间内由于开关损耗导致发热超过其能够将热量传递到外壳的速度而损坏。

耦合度的文章地址能否发一个,我找时间翻一下。
宏观上这样讲应当是没问题的,这也是损坏的原因之一。
但是想过没有,为什么慢慢慢慢的加电流Ipk。会突然一瞬间炸,而散热片不会显著发热。

http://www.richieburnett.co.uk/operatn2.html#quenching
在这,主要讲了耦合度对差拍的影响。

rb-sama1 年前 -2016-05-07 14:59818618
引用 Miller:
我还是想等几年用氮化镓的mos,那个功率和开关速度以及超低的损耗简直难以置信
虽然现在真要买的话能搞到货,但是价格无法接受
是的,每一次材料革命都会推动其他技术的进步。
GaN材料的MOS出来损耗小,速度快还有什么特殊的特性吗?

rb-sama1 年前 -2016-05-07 15:35818622
引用 kcltxinshou:
第三讲能否说说“初级与全桥之间的阻抗匹配”、“次级的Q值是否越大越好”这两个问题?
A1:我可以简单的讲一下阻抗匹配的问题。
一般来说,由于电路的特性
input——————L——————— |
                                                        Rr
input——————C———————|
电路如图所示,对于激励源端口,LC器件呈现串联谐振。
串联谐振电路的特性是,当谐振时,器件两端电压最大。这个电压也并不会表现在开关器件上,因为对于输入端是阻性。
有意思的是,Rr是线路中的ESR。也就是寄生参数,这个参数能决定最高电流是多少。
例:一组LC寄生电阻是0.5Ω,双300V输入。槽路里能有600A
这个参数是复阻抗的意思,但是让人误解的另一个参数是Zsurge。这是个啥东西呢?
以下援引caoyuan的一句话:
这就是浪涌阻抗(surge impedance, Z因子)的物理含义。
其定义式为

浪涌阻抗Z越小,电流上升速率dI/dt越快。
所以实际上在DRSSTC里没有所谓阻抗匹配的概念,因为根本无法匹配。
所谓的CWDRSSTC,那也是通过调偏频率的方式,来实现对初级连续电流的限制。
一般的DRSSTC,可以近似的把它看做一个弱耦合系统,也就是单纯分析LC就行。而主要的考虑因素是这个Zsurge。
[hr]A2:次级线圈的Q值确实是要尽可能做大。但并不是意味着Q值越大的线圈就越好。
这同样是一个概念混淆,这句话引申出的正确概念应当是:适合于初级LC的次级线圈,Q值越大越好。
那么什么是适合初级LC回路的次级线圈呢?
这个很有意思的是,结合上面所说的复阻抗Z和浪涌阻抗。而DRSSTC是一个断续工作的系统,那就可以列个简单的式子。
V=Q*u
zr=F(frequency)
简单的意义就是,次级线圈的耦合度和摆放位置以及LC参数影响。会改变初级线圈的阻抗。
而且是复阻抗浪涌阻抗一起改变。其中第一个式子可以表达初级反馈的特性。实际上初级次级的频率并不会完全相等。
而是由于耦合的存在,会产生一个拍频效应。而Q值的大小,和耦合度都会直接影响通频带的大小。
所以说在环境固定的非常多情况下,Q值还是越大越好。
但是一定要考虑到你用的电路的精确性,所以也并不是越大越好。因为可能会难调很多,对频率源有要求。
但是对于次级反馈的情况,确实是越大越好的。


对于以上两个问题,我讲的还是很浅显。如果想深入了解的话,定量分析。
可以去找一下:双谐振LC耦合回路 关键词:通频带、负载Q值、开路Q值、品质因数对通频带的影响
可以类比于DR来分析。

rudolf1 年前 -2016-05-07 17:14818631
引用 rb-sama:
宏观上这样讲应当是没问题的,这也是损坏的原因之一。
但是想过没有,为什么慢慢慢慢的加电流Ipk。会突然一瞬间炸,而散热片不会显著发热。

http://www.richieburnett.co.uk/operatn2.html#quench...
原来是这个……几年前有帖子讲过

rb-sama1 年前 -2016-05-07 17:18818632
引用 rudolf:
原来是这个……几年前有帖子讲过
嗯 是的。两个线圈情况是不一样的。
一般来讲SSTC耦合度高一点效率高。
但是SSTC和DRSSTC相同的是,耦合度低的时候。容易产生比较低的输入阻抗。
所以有时候加灭弧的SSTC电弧会很长,但是其实效率并不高。

秃废1 年前 -2016-05-07 21:34818658
想不过流那就用igct那玩意想过载都难。ps,igbt尽量不要超频和过流

rb-sama1 年前 -2016-05-07 21:38818659
引用 秃废:
想不过流那就用igct那玩意想过载都难。ps,igbt尽量不要超频和过流
仔细读帖。IGCT速度比IGBT慢。规模太大。驱动功率可怕。
请给出其比IGBT更适合应用于DRSSTC上的论据。

rb-sama1 年前 -2016-05-08 04:31818680
Q:驱动IGBT的时候,为了减小损耗,一定要尽可能让上升/下降沿最小化吗?

A:其实这种说法长期存在于高压爱好者的社区中。从硬开关的角度来考虑,上升/下降沿的时间长短。
能够直接影响电流/电压交叠区的伏安乘积大小。如下图是经典硬开关的损耗图。264306


在这种情况下,当然是开通速度和截止速度要做到尽可能的快。但是对于一些工业领域并非如此。
我甚至见过在10KW的交流逆变弧焊机的驱动电路上面,看到过在栅极并联10nF电容来延缓下降沿的做法。
这是为什么呢?拿大家喜闻乐见的劳模50UD来打比方,IRG4PC50UD是一个IGBT的型号。
这是他参数表中的一个参数
264307


这是桥式电路中,UD中的那个Diode能容许的最大电流上升率。
一般这个D都是起到为感性负载续流的作用,而在软开关应用中,它负责死区时间的换向。
而且仔细的爱好者能够发现,DRSSTC关断后,电压并不是立即消失的。原因很简单。
这是因为LC系统中的能量,通过D对电容进行反向续流,馈回至母线电容的原因。
而DRSSTC动辄几百A的电流,也是要经过这个D的。所以截止/开通时间与这个电流的关系非常容易理解。
DRSSTC不经过仔细移相,其开关管实际上是在强行硬开关10~20A左右的电流。这个时候电感储能全部通过D馈回。
而很多时候,栅极驱动能做到100nS左右,这样一来,上升率就已经约等于100~200A/uS了,接近于极限值。
一旦发生开关时序错误,或者Ipk增加,随时都有可能超过这个极限,所以有时候驱动波形很漂亮,DR更爱炸的话。可以考虑是否为驱动波形上升/下降沿太快带来的问题。
回到逆变焊机的问题上,其既有过EMI认证方面的原因,同样也是由于在软开关下,即使驱动波形边沿较为平缓,电压/电流交叠区的损耗也并不大。
栅极并电容的做法实际上是在系统鲁棒性/损耗上做了一个平衡。这是很成熟的做法,值得DRSSTC的爱好者们借鉴。
所以这就是为什么再强的驱动,也难避免一次错误的逻辑操作失去软开关状态带来的毁灭性后果的原因了。

引申知识:现代IGBT已经有“软恢复二极管”内置的型号,其特性为能够在同样的开关时间,减缓电流上升率。

张静茹1 年前 -2016-05-08 07:45818683
很好,没有利益相关的人的话才有可能是可信的

奇侠1 年前 -2016-05-08 11:28818695
看到个很有趣的词:鲁棒性。大致理解成耐操性就好了。
SOA看得不太清楚。所以比较low地去百度了一下,看了些资料就差不多明白了。所以推荐两个帮助理解的网站。
http://www.igbt8.com/jc/156.html
(万恶的丢回车)
http://www.dianyuan.com/index.php?do=community_topic_show&id=1048496

11767641771 年前 -2016-05-08 23:49818785
闸锁效应??
是说的擒住效应么?

Miller1 年前 -2016-05-09 21:53818854
引用 rb-sama:
是的,每一次材料革命都会推动其他技术的进步。
GaN材料的MOS出来损耗小,速度快还有什么特殊的特性吗?
开关干净利落,上升快(快到都快成缺点了。。。)寿命长,据说那个东西结温能到200℃不坏....现在的封装600V60A的mos比指甲盖大不到哪去,总之全面碾压现在的晶体管,更多特性你可以查一查,就跟加了特技一样

rb-sama1 年前 -2016-05-10 00:36818875
引用 1176764177:
闸锁效应??
是说的擒住效应么?
恩对

rb-sama1 年前 -2016-05-10 00:36818876
引用 Miller:
开关干净利落,上升快(快到都快成缺点了。。。)寿命长,据说那个东西结温能到200℃不坏....现在的封装600V60A的mos比指甲盖大不到哪去,总之全面碾压现在的晶体管,更多特性你可以查一查,就跟加了特技一样
好的,我之前去了解了。就等这种IGBT规模做到更大了。应该很适合做DR

OODLL1 年前 -2016-05-10 18:58818920
引用 Miller:
开关干净利落,上升快(快到都快成缺点了。。。)寿命长,据说那个东西结温能到200℃不坏....现在的封装600V60A的mos比指甲盖大不到哪去,总之全面碾压现在的晶体管,更多特性你可以查一查,就跟加了特技一样
氮化硅MOS的驱动难啊

novakon10 个月前 -2016-07-28 12:28823602
我甚至见过在10KW的交流逆变弧焊机的驱动电路上面,看到过在栅极并联10nF电容来延缓下降沿的做法。
并10nF不是用来延缓下降沿,毕竟管子本身都有好几nF了。通常栅极加电容,是为了防止dV/dt导通。

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