关于驱动MOS管的电路电阻选择
yangzhaofei12013/01/18高电压技术 IP:山西
请教大家一个问题
1.jpg

在原理图中我需要实现把0-3V的脉冲去驱动MOS管,由放大电路和图腾电路组成,仿真的挺好的,做出来板子发现,R3非常的烫,我换成2K的就好了,但MOS管的开启速度比200欧的时候慢了一倍,我想问一下R6,R3的选取如何才能让图腾柱完全的打开,提高MOS管的开启速度。
来自:电气工程 / 高电压技术
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~~空空如也
redeemer1001
11年4个月前 IP:未同步
489237
R3换个1W的就不热了
至于选值……找数据手册研究下吧
+1
科创币
wenrui
2013-01-18
高质量发帖
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bt3
11年4个月前 IP:未同步
489261
可能因为Q3在导通时,R3相当于短路吧~
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ghia
11年4个月前 IP:未同步
489272
Q1和Q2是不是画反了?R3上并个小电容作为加速电容应该有点效果吧。
。。。
哦,这种驱动方式并电容看起来不行,如果R3是串在Q1和Q2的基极回路里并电容才有效。
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yangzhaofei1作者
11年4个月前 IP:未同步
489413
回 1楼(redeemer1001) 的帖子
换成2W的还是很烫,只是不像200欧的电阻很快的一下子烫
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yangzhaofei1作者
11年4个月前 IP:未同步
489416
回 3楼(ghia) 的帖子
那我应该怎么解决呢?
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redeemer1001
11年4个月前 IP:未同步
489448
回 4楼(yangzhaofei1) 的帖子
好吧 上面说错了 发热还是会的 但是无所谓 这电阻散耗功率最大也就12*12/200=0.72W 所以1W的就够了
不想它发热那么严重的话 可以加散热片
或者修改电路设计
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量子隧道
11年4个月前 IP:未同步
489489
引用第3楼ghia于2013-01-18 13:09发表的  :
Q1和Q2是不是画反了?R3上并个小电容作为加速电容应该有点效果吧。
。。。
哦,这种驱动方式并电容看起来不行,如果R3是串在Q1和Q2的基极回路里并电容才有效。

我勒个去,请先自己搞清楚再说话,免得误导大家。
Q1和Q2没反。人家是增加驱动电流能力用的,不是放大用的。如果反过来,不仅驱动能力变差,而且还会有很大的同时导通区间,容易烧管子。
R3并电容来加速?不减速您就乐吧。
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1038733481
11年4个月前 IP:未同步
489541
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yangzhaofei1作者
11年4个月前 IP:未同步
489624
回 7楼(量子隧道) 的帖子
那我应该怎么改电路呢?
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yangzhaofei1作者
11年4个月前 IP:未同步
489629
回 8楼(王鲲鹏) 的帖子
那个帖子看的有点晕,好多图,不过是N、PMOS管做图腾电路的,我看了一下那个帖子,主要我不知道用他们的电路能够让IRF840的开启速度有多快,我需要下降沿在10--20ns,所以首先想到的在原来的基础上解决问题,要是有更好的电路那当然好,手头上也没有他们的器件,所以也不知道效果如何,下图的电路用洞洞板搭出来下降沿在20ns,可是做成电路板,把器件变成贴片的后就成了50ns,而且还有很大的振荡,我画了好几个,我猜估计是过孔打的多了,好多没有在一个平面导致的,其中做了一个板子,他的贴片的器件都在一个平面振荡就消除了,不过下降时间还是大,现在就是发现那个200欧的电阻很烫,换一个大的电阻IRF840的开启速度就慢了些
我的整体电路图
1.jpg
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tangler
7年4个月前 IP:四川
828589
R3用个有源负载代替掉。
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